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墨記 ? 來源︰電子發燒友(you)網 ? 作者︰張(zhang)慧娟(juan) ? 2020-04-05 14:25 ? 次(ci)閱讀
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抗擊(ji)疫情的(de)硬仗(zhang)還沒打完(wan),疫後重建的(de)硬仗(zhang)已經打響(xiang)了(liao),動力就是(shi)“新基建”。什麼是(shi)“新基建”bao)扛fu)蓋7大領域︰5G基建、特高(gao)壓、城(cheng)際高(gao)鐵和城(cheng)際軌(gui)道交通(tong)、新能源汽車充電樁、大數據中(zhong)心(xin)、人工智能、工業互聯網。

事實上,“新基建”並不是(shi)一(yi)個新概念(nian),早在2018年底召開的(de)中(zhong)央經濟工作會(hui)議上就明確(que)了(liao)5G、人工智能、工業互聯網、物聯網等“新型基礎設施建設”的(de)定位,隨後“加強新一(yi)代信息基礎設施建設”被列(lie)入2019年政府工作報告。2020年開年的(de)首場國(guo)務院常(chang)務會(hui)議也明確(que)提(ti)出,大力發展(zhan)先進制造業,出台信息網絡等新型基礎設施投資(zi)支(zhi)持政策,推進智能、綠(lv)色(se)制造。
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數字經濟的(de)發展(zhan)離(li)不開5G、大數據、人工智能、雲計算等新技術的(de)支(zhi)撐(cheng)。這些(xie)既是(shi)基礎設施,又(you)是(shi)新興shun)擔 yi)頭(tou)連著巨大的(de)投資(zi)與需求,一(yi)頭(tou)牽著不斷升級的(de)消費市場,必將成(cheng)為中(zhong)國(guo)經濟增(zeng)長的(de)新引擎(qing)。

七大“新基建”背後的(de)半導(dao)體機會(hui)

過去的(de)一(yi)年,受全球貿(mao)易波動、半導(dao)體終端shun)返die)價(jia)、智能手機銷(xiao)量逐漸飽(bao)和等因素的(de)影響(xiang),半導(dao)體行業僅出現微(wei)弱增(zeng)長,一(yi)些(xie)細分領域甚(shen)至出現負(fu)增(zeng)長。但(dan)是(shi),2020年半導(dao)體整(zheng)體大環(huan)境將出現轉機,5G、新能源汽車、大數據、人工智能等七大“新基建”bao)   氳dao)體行業的(de)復甦帶來轉機。
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首先看5G基建。自 2019 年工信部 5G 商用啟動以(yi)來,三大運營(ying)商在全國(guo)的(de)基站(zhan)建設腳(jiao)步不斷加快。近來,中(zhong)國(guo)移動表示今(jin)年建設30萬個5G基站(zhan)的(de)na)勘瓴槐洌 zhong)國(guo)聯通(tong)和中(zhong)國(guo)電信將力爭前三季(ji)度完(wan)成(cheng)全年25萬基站(zhan)的(de)建設目標。業界預測,2020年我國(guo)建設5G基站(zhan)70萬座,2024年共建設554萬座。對半導(dao)體行業來說(shuo),除(chu)了(liao)5G通(tong)信網絡的(de)建設為其帶來了(liao)大量的(de)中(zhong)下游的(de)新增(zeng)需求之外,也成(cheng)為2020年半導(dao)體市場回暖的(de)主要動力。
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5G終端市場方面,多類型終端形(xing)態的(de)持zhong)瞥 欣詿蛟G全場景新生態,終端設備市場規模(mo)今(jin)年將出現zhong)亂yi)輪增(zeng)長。根(gen)據賽迪顧(gu)問(wen)年初的(de)預測,隨著終端市場的(de)進一(yi)步打開,5G基帶芯片和射(she)頻芯片等關鍵元器件的(de)需求將大幅(fu)上升。細分環(huan)節方面,為降低(di)終端體積、改(gai)善pu)斬斯gong)耗(hao)mo)G終端基帶芯片將持zhong)蚋gao)集成(cheng)度的(de)SoC芯片方向發展(zhan);在央地聯動的(de)政策引導(dao)與鼓勵下,華為海思、紫光展(zhan)銳、卓勝微(wei)、中(zhong)興微(wei)電子等國(guo)內企業有望(wang)切入中(zhong)高(gao)端射(she)頻芯片領域。
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工業互聯網的(de)na) σ膊蝗鶯鍪/strong>,它(ta)與5G更(geng)像是(shi)“你中(zhong)有xing)遙 抑zhong)有xin)恪鋇de)狀ci) 2煌tong)于4G時代之前以(yi)人為本的(de)路線,5G最根(gen)本的(de)na)鵓馱謨詮?黨【啊G、邊緣dao)撲恪 笫蕁  gao)清視頻、AR/VR等先進技術有望(wang)在工業領域融合發展(zhan)。工業和信息化部部長苗圩就曾指出,未來80%的(de)5G應用mao)【盎hui)在工業互聯網。不過,在這個巨大的(de)市場機遇面前,國(guo)內半導(dao)體廠商在處理器、傳感(gan)器、微(wei)控制器、通(tong)信芯片和功(gong)率半導(dao)體等核心(xin)器件方面仍主要集中(zhong)在中(zhong)低(di)端市場,模(mo)擬芯片方面幾fu)醣還guo)際巨頭(tou)壟斷,這是(shi)既須正視的(de)現實,也是(shi)努(nu)力的(de)方向。
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大數據中(zhong)心(xin)、人工智能,這兩個動因將對半導(dao)體產業帶來密不可分的(de)影響(xiang)。大數據中(zhong)心(xin)的(de)建設,將加大對服(fu)務器、存(cun)儲設備、網絡設備、安全設備、光模(mo)塊等需求。基礎半導(dao)體存(cun)儲技術需要加速創(chuang)新,特別是(shi)NAND和DRAM的(de)可擴展(zhan)性。存(cun)儲器生產和消費之間的(de)差距、降低(di)對國(guo)外存(cun)儲器件的(de)依賴(lai)、新興應用的(de)存(cun)儲需求等,都需要政府與企業de)ning)力推進,為下一(yi)代存(cun)儲技術的(de)發展(zhan)做好準備。
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人工智能涉(she)及大量的(de)數據處理任務,對于算力的(de)巨大需求,引爆了(liao)國(guo)內半導(dao)體創(chuang)業熱潮的(de)同(tong)時也帶來新一(yi)輪彎道超車的(de)機遇。相較于CPU一(yi)枝獨(du)秀的(de)na)甏  諾de)研究生態,多樣化的(de)技術路線,CPU、GPUFPGAASIC、類腦芯片等共同(tong)推動著AI算力的(de)架構(gou)創(chuang)新。值得一(yi)提(ti)的(de)是(shi),5G、IoT與AI在邊緣、端shun)嗟de)融合發展(zhan),將進一(yi)步推進邊緣di)評 氳dao)體芯片市場規模(mo)的(de)增(zeng)長。該市場未來的(de)競爭將更(geng)加激烈(lie),除(chu)了(liao)計算芯片本身,在軟件工具、制程封裝、存(cun)儲、互聯、安全等que)矯媯  zhan)式的(de)na)芰  淶迷嚼叢街匾 3chu)了(liao)海思、紫光展(zhan)銳、中(zhong)星微(wei)這些(xie)資(zi)深玩(wan)家,造芯新勢力也在迅速崛起,甚(shen)至不huan)Π 鎩 俁取 窳Α 妊塹險庋de)跨界選(xuan)手。
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人工智能也在推動先進制程的(de)加速演進。據IBS預測,到2025年,全球10nm/7nm 制程 晶圓代工出貨量將達220萬片,相比目前翻了(liao)一(yi)huan) N 愀骼I創(chuang)新應用、海量數據傳輸,以(yi)及算法演進需求,芯片效能在不斷提(ti)高(gao)的(de)同(tong)時bao) 貢匭虢檔di)成(cheng)本,極紫外光(EUV)等技術未來將扮演更(geng)為關鍵的(de)角色(se)。
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特高(gao)壓、城(cheng)際交通(tong)、新能源汽車的(de)發展(zhan),無疑(yi)將共同(tong)驅(qu)動第三代功(gong)率半導(dao)體的(de)加速發展(zhan)。在傳統電網的(de)升級、高(gao)速列(lie)車、新能源汽車的(de)核心(xin)動力系di)持zhong)xiao) 夜guo)發展(zhan)第三代半導(dao)體得到了(liao)國(guo)家政策的(de)支(zhi)持,是(shi)我國(guo)實現產業戰略升級和低(di)碳(tan)ji) 玫de)重要途徑,將SiC等第三代半導(dao)體材料器件用于電機驅(qu)動等環(huan)節將大幅(fu)提(ti)高(gao)功(gong)率密度並降低(di)整(zheng)體成(cheng)本。迄(qi)今(jin)為止,我國(guo)已yan)興奶/6英寸SiC生產/中(zhong)試線和三條GaN生產/中(zhong)試線相繼投入使用,並在建多個與第三代半導(dao)體相關的(de)研發中(zhong)試平台。國(guo)產化的(de)單晶襯(chen)底、外延(yan)片所佔(zhan)市場份額不斷擴大,國(guo)產化的(de)SiC二極管(guan)MOSFET開始進入市場。不過,在頭(tou)部廠商取得mao)杉ji)的(de)背後,我國(guo)整(zheng)體實力和產業化能力的(de)提(ti)升,有待進一(yi)步加強。

如(ru)何看chuang)靶祿 倍園氳dao)體的(de)拉動效應?

如(ru)何看chuang)靶祿 鋇de)na) ?Γ勘收呷餃  chu)了(liao)對經濟的(de)拉動作用,“新基建”給了(liao)中(zhong)國(guo)硬科(ke)技創(chuang)新更(geng)大的(de)發揮空zhan)洌 擁撞ceng)基礎技術支(zhi)撐(cheng)上將塑造新的(de)國(guo)際競爭優勢。
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今(jin)年是(shi)全面建成(cheng)小康社(she)會(hui)和“十三五”規劃(hua)收zhan)僦 輳  nu)力實現全年經濟社(she)會(hui)發展(zhan)目標任務,必須發揮好有效投資(zi)關鍵作用。從拉動經濟增(zeng)長需求而言(yan)yu) 嘰蟆靶祿 筆票匾 羝鶇罅liang)。從疫情爆發以(yi)來,人工智能、大數據、5G等都已發揮出積極的(de)作用,有望(wang)在疫情刺(ci)激下加速推進。
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那(na)麼,又(you)該如(ru)何看chuang)靶祿 倍暈夜guo)半導(dao)體產業的(de)影響(xiang)?作為關鍵核心(xin)技術支(zhi)撐(cheng),一(yi)huan)矯媯 祿  創(chuang)罅啃略zeng)需求。同(tong)時bao) 謐災 煽氐de)要求,“新基建”有望(wang)引導(dao)我國(guo)半導(dao)體產業進入新一(yi)輪zhi) zhan)周期。
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2020年,國(guo)產替代會(hui)繼續成(cheng)為國(guo)內半導(dao)體產業發展(zhan)的(de)主線,且主導(dao)企業可能從華為等代表企業擴大到更(geng)多的(de)國(guo)產系di)吵 蹋 迪痔媧de)產品也將從you)械di)端升級到存(cun)儲、模(mo)擬、射(she)頻等更(geng)多戰略級通(tong)用或更(geng)多量大面廣(guang)的(de)高(gao)端shun)飛稀br />?
其次(ci),除(chu)了(liao)半導(dao)體設計環(huan)節,加速建立完(wan)整(zheng)、獨(du)立自主核心(xin)技術的(de)國(guo)產半導(dao)體工業體系是(shi)大勢所趨,需要代工、封裝、測試以(yi)及配套設備、材料等更(geng)多環(huan)節的(de)協同(tong)發展(zhan)。

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的(de)頭(tou)像 獨(du)愛(ai)72H 發表于 04-05 08:34 ? 527次(ci) 閱讀
5G網絡的(de)到來,它(ta)會(hui)對我們的(de)生活有什麼影響(xiang)

新冠疫情當bi)攏 笫菁際蹌  頤親魴xie)什麼

大數據是(shi)門系di)逞?ke),基于數據,核心(xin)是(shi)數學算法,通(tong)過一(yi)些(xie)成(cheng)熟平台架構(gou)組(zu)件,完(wan)成(cheng)人們對數據的(de)使用。
的(de)頭(tou)像 獨(du)愛(ai)72H 發表于 04-05 08:26 ? 900次(ci) 閱讀
新冠疫情當��bi)攏 笫��菁際蹌  頤親魴��xie)什麼

未來5G網絡中(zhong)的(de)智能邊緣dao)撲憬 hui)如(ru)何發展(zhan)

人工智能一(yi)直是(shi)移動網絡中(zhong)的(de)重要組(zu)成(cheng)部分。隨著5G 以(yi)及邊緣dao)撲慵際醯de)發展(zhan),對人工智能的(de)需求將變得愈發....
發表于 04-03 20:40 ? 281次(ci) 閱讀
未來5G網絡中(zhong)的(de)智能邊緣��dao)撲憬 ��hui)如(ru)何發展(zhan)

面向新基建,智能倉儲的(de)三個核心(xin)問(wen)題(ti)

在新基建大勢pu) 攏  骱凸gong)應鏈在智能化軌(gui)道上向智能物流、智能供(gong)應鏈情境的(de)升級發展(zhan),及其在現代化前景中(zhong)....
的(de)頭(tou)像 獨(du)愛(ai)72H 發表于 04-03 19:33 ? 850次(ci) 閱讀
面向新基建,智能倉儲的(de)三個核心(xin)問(wen)題(ti)

紫光國(guo)微(wei)在中(zhong)國(guo)的(de)地位最具潛力的(de)安全芯片領導(dao)者

有人問(wen)紫光國(guo)微(wei)在中(zhong)國(guo)的(de)地位,這個問(wen)題(ti)真不好回答,還是(shi)匯總了(liao)一(yi)些(xie)報道,大家一(yi)起來看看吧。
發表于 04-03 18:58 ? 1330次(ci) 閱讀
紫光國(guo)微(wei)在中(zhong)國(guo)的(de)地位最具潛力的(de)安全芯片領導(dao)者

5G想(xiang)要達到最高(gao)速率,就必須使用毫米波技術

5G定義了(liao)三大應用mao)【啊   zeng)強型移動寬帶、關鍵業務型tou)fu)務和海量物聯網,但(dan)是(shi)與5G相關的(de)第一(yi)個標準版....
的(de)頭(tou)像 獨(du)愛(ai)72H 發表于 04-03 17:42 ? 850次(ci) 閱讀
5G想(xiang)要達到最高(gao)速率,就必須使用毫米波技術

毫米波推進勢在必行xiao) 蠢唇  馗geng)多場景

5G手機在2020年會(hui)進行飛速的(de)普zhan)埃G手機的(de)大規模(mo)普zhan)白勻灰材芄喚yi)步加快5G產業的(de)部署。在eM....
的(de)頭(tou)像 獨(du)愛(ai)72H 發表于 04-03 17:38 ? 286次(ci) 閱讀
毫米波推進勢在必行��xiao) 蠢唇  馗��geng)多場景

半導(dao)體變流器應用導(dao)則的(de)國(guo)家標準免(mian)費下載

本文檔的(de)主要內容詳(xiang)細介紹的(de)是(shi)半導(dao)體變流器應用導(dao)則的(de)國(guo)家標準免(mian)費下載。
發表于 04-03 17:33 ? 26次(ci) 閱讀
半導(dao)體變流器應用導(dao)則的(de)國(guo)家標準免(mian)費下載

三星率先支(zhi)持5G超級SIM卡,三星S20系列(lie)搶(qiang)佔(zhan)市場先機

近日,北京移動與紫光國(guo)微(wei)共同(tong)宣布5G超級SIM卡正式上市xiao) 饈shi)移動首次(ci)開售5G超級SIM卡,北京移動....
的(de)頭(tou)像 牽手一(yi)起夢 發表于 04-03 17:23 ? 439次(ci) 閱讀
三星率先支(zhi)持5G超級SIM卡,三星S20系列(lie)搶(qiang)佔(zhan)市場先機

以(yi)一(yi)敵三的(de)商業智能BI是(shi)怎樣成(cheng)功(gong)出圈(quan)的(de)mo)/a>

論分析能力,海量數據的(de)分析挖掘(jue)眨眼間完(wan)成(cheng),不同(tong)瀏覽者都ji)芑竦米約ji)想(xiang)要的(de)分析報表;論數據展(zhan)示,圖形(xing)化分析報表讓人一(yi)眼看懂,...
發表于 04-03 17:03 ? 118次(ci) 閱讀
以(yi)一(yi)敵三的(de)商業智能BI是(shi)怎樣成(cheng)功(gong)出圈(quan)的(de)��mo)�� /> </a></div><div class=

中(zhong)國(guo)電信攜手海思ji)統?鞜蛟G機器視覺(jue)方案(an)

智能制造是(shi)5G新基建的(de)核心(xin)應用領域,通(tong)過5G工業de)mo)組(zu)賦chen)艽 持圃煨幸黨cheng)為眾多企業“5G+智能制造”的(de)....
的(de)頭(tou)像 汽車di)wan)家 發表于 04-03 17:02 ? 832次(ci) 閱讀
中(zhong)國(guo)電信攜手海思��ji)統?鞜蛟��G機器視覺(jue)方案(an)

高(gao)通(tong)︰毫米波技術在5G完(wan)整(zheng)體驗中(zhong)必不可少(shao)

高(gao)通(tong)舉辦了(liao)一(yi)場5G的(de)未來媒體分享會(hui),Qualcomm中(zhong)國(guo)區研發負(fu)責(ze)人徐??博士與我們分享了(liao)高(gao)通(tong)對未來5....
的(de)頭(tou)像 牽手一(yi)起夢 發表于 04-03 16:53 ? 451次(ci) 閱讀
高(gao)通(tong)︰毫米波技術在5G完(wan)整(zheng)體驗中(zhong)必不可少(shao)

物聯網如(ru)何促進家電變得綠(lv)色(se)節能

作為對家電產業發展(zhan)影響(xiang)較大的(de)兩大技術,5G、物聯網所具備的(de)應用價(jia)值無疑(yi)是(shi)多元且豐富的(de)。
發表于 04-03 16:52 ? 299次(ci) 閱讀
物聯網如(ru)何促進家電變得綠(lv)色(se)節能

AI數據服(fu)務野蠻生長後是(shi)怎樣的(de)

隨著科(ke)技技術不斷更(geng)新迭(die)代,企業變革的(de)方向已yan)尚畔  蛑悄芑  zhan),而在此過程中(zhong)xiao) ru)何獲取數據成(cheng)為最重要....
發表于 04-03 16:40 ? 217次(ci) 閱讀
AI數據服(fu)務野蠻生長後是(shi)怎樣的(de)

勁勝智能高(gao)端智能裝備生產滿負(fu)荷

值得注(zhu)意的(de)是(shi),此前勁勝智能的(de)業dao)ji)受行業景氣(qi)度下滑(hua)等因素的(de)影導(dao)致虧損,直至2019年,才因業務轉型有所....
的(de)頭(tou)像 汽車di)wan)家 發表于 04-03 16:37 ? 282次(ci) 閱讀
勁勝智能高(gao)端智能裝備生產滿負(fu)荷

5G互聯網是(shi)如(ru)何助力疫情的(de)防控的(de)

當前國(guo)內多家yi)? 攪品fu)務平台,充分利用5G網絡等信息通(tong)信技術,聯動全國(guo)各地的(de)醫生、專(zhuan)家,積極發揮線....
發表于 04-03 16:23 ? 77次(ci) 閱讀
5G互聯網是(shi)如(ru)何助力疫情的(de)防控的(de)

半導(dao)體致冷器有什麼優點?

半導(dao)體溫差致冷是(shi)建立在法國(guo)物理學家Peltien帕(pa)爾帖(tie)效應(即ci)虜鐶?Γ└∩系de)具體應用。當電流流經兩種(zhong)不同(tong)性質的(de)導(dao)體形(xing)成(cheng)接點...
發表于 04-03 09:02 ? 73次(ci) 閱讀
半導(dao)體致冷器有什麼優點?

半導(dao)體制冷有什麼優缺點?

半導(dao)體制冷的(de)機理主要是(shi)電荷載體在不同(tong)的(de)材料中(zhong)處于不同(tong)的(de)na)芰考叮 諭獾緋〉de)作用下,電荷載體從高(gao)能級的(de)材料向低(di)能級的(de)材料運動...
發表于 04-03 09:02 ? 59次(ci) 閱讀
半導(dao)體制冷有什麼優缺點?

大數據在物流行業有怎麼樣的(de)應用

http://file.elecfans.com/web1/M00/B9/BA/pIYBAF6G_F....
發表于 04-03 08:00 ? 25次(ci) 閱讀
大數據在物流行業有怎麼樣的(de)應用

微(wei)信半導(dao)體群

轉眼間2020年已經過去一(yi)個季(ji)度了(liao),冬天說(shuo)走(zou)就走(zou),春天也沒停留。各行各業的(de)工作多多少(shao)少(shao)都受到疫情影響(xiang)。悄na)牡匚wen)一(yi)句,您的(de)事業...
發表于 03-28 12:16 ? 402次(ci) 閱讀
微(wei)信半導(dao)體群

請問(wen)怎麼單片機怎麼控制半導(dao)體片的(de)電流方向?

畢(bi)業設計的(de)要求是(shi)用單片機設計一(yi)個溫度測量電路,通(tong)過測量得到的(de)溫度去控制半導(dao)體片的(de)電流方向,從而達到控制兩面的(de)溫度!這個要...
發表于 03-25 00:26 ? 45次(ci) 閱讀
請問(wen)怎麼單片機怎麼控制半導(dao)體片的(de)電流方向?

大數據實時分析領域的(de)ClickHouse

ClickHouse大數據實時分析領域的(de)黑馬
發表于 03-24 11:09 ? 67次(ci) 閱讀
大數據實時分析領域的(de)ClickHouse

【戰疫專(zhuan)題(ti)】第五期︰智慧物流,疫情之中(zhong)顯擔當

2020年,新型冠狀病(bing)毒席卷(juan)了(liao)整(zheng)個中(zhong)國(guo),同(tong)時也在促進著產業的(de)變革與生活變化。電子發燒友(you)在此期間推出【戰疫專(zhuan)題(ti)】活動,持zhong)..
發表于 03-18 11:00 ? 2100次(ci) 閱讀
【戰疫專(zhuan)題(ti)】第五期︰智慧物流,疫情之中(zhong)顯擔當

人工智能、數據挖掘(jue)、機器學習(xi)和深度學習(xi)的(de)關系

人工智能、數據挖掘(jue)、機器學習(xi)和深度學習(xi)之間,主要有什麼關系?...
發表于 03-16 11:35 ? 99次(ci) 閱讀
人工智能、數據挖掘(jue)、機器學習(xi)和深度學習(xi)的(de)關系

人工智能偵查(cha)有xin)na)些(xie)應用

【人工智能偵查(cha)的(de)應用領域】
發表于 03-16 11:28 ? 82次(ci) 閱讀
人工智能偵查(cha)有��xin)��na)些(xie)應用

半導(dao)體泵浦(pu)激光器有什麼優點?

半導(dao)體泵浦(pu)固體激光器的(de)種(zhong)類很(hen)多,可以(yi)是(shi)連續的(de)、脈沖的(de)、調(diao)Q的(de)mo) yi)及加倍頻混(hun)頻等que)竅 宰 壞de)。工作物質的(de)形(xing)狀有圓柱(zhu)和板條狀...
發表于 03-10 09:03 ? 125次(ci) 閱讀
半導(dao)體泵浦(pu)激光器有什麼優點?

LM324LV 4 通(tong)道行業標準低(di)電壓運算放大器

LM3xxLV系列(lie)包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些(xie)器件采用2.7 V至5.5 V的(de)低(di)電壓gou)?鰲這些(xie)運算放大器是(shi)LM321,LM358和LM324的(de)替代產品,適(shi)用于對成(cheng)本敏感(gan)的(de)低(di)電壓應用。一(yi)些(xie)應用是(shi)大型電器,煙霧探測器和個人shuo)繾硬貳LM3xxLV器件在低(di)電壓下lv) gong)比LM3xx器件更(geng)好的(de)性能,並且功(gong)耗(hao)更(geng)低(di)。運算放大器在單位增(zeng)益下穩定,在過驅(qu)動條件下不會(hui)反相。 ESD設計為LM3xxLV系列(lie)提(ti)供(gong)了(liao)至少(shao)2 kV的(de)HBM規格。 LM3xxLV系列(lie)提(ti)供(gong)具有行業標準的(de)封裝。這些(xie)封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成(cheng)本敏感(gan)系di)車de)工業標準放大器 低(di)輸入失調(diao)電壓︰±1 mV 共模(mo)電壓範圍包括接地 單位增(zeng)益帶寬︰1 MHz 低(di)寬帶噪(zao)聲︰40 nV /ˇ Hz < li>低(di)靜態電流︰90μA/Ch 單位增(zeng)益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提(ti)供(gong)單,雙和四通(tong)道變體 穩健的(de)ESD規範︰2 kV HBM 擴展(zhan)溫度que)段?40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的(de)財產。 參wen)與其它(ta)產品相比?通(tong)用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
發表于 01-08 17:51 ? 1026次(ci) 閱讀
LM324LV 4 通(tong)道行業標準低(di)電壓運算放大器

www.4137.com【即存即送】www.qt00.comTLV9052 5MHz、15-V/?s 高(gao)轉換率 RRIO 運算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是(shi)單,雙和四運算放大器。這些(xie)器件針對1.8 V至5.5 V的(de)低(di)電壓gou)?鶻辛liao)優化。輸入和輸出可以(yi)以(yi)非常(chang)高(gao)的(de)壓擺率從軌(gui)到軌(gui)工作。這些(xie)器件非常(chang)適(shi)用于需要低(di)壓gou)?鰨 gao)壓擺率和低(di)靜態電流的(de)成(cheng)本受限應用。這些(xie)應用包括大型電器和三相電機的(de)控制。 TLV905x系列(lie)的(de)容性負(fu)載驅(qu)動為200 pF,電阻性開環(huan)輸出阻抗使容性穩定更(geng)高(gao),容性更(geng)高(gao)。 TLV905x系列(lie)易于使用,因為器件是(shi)統一(yi)的(de) - 增(zeng)益穩定,包括一(yi)個RFI和EMI濾shun)ㄆ鰨 詮靨跫虜換hui)發生反相。 特性 高(gao)轉換率︰15 V /μs 低(di)靜態電流︰330μA 軌(gui)道-to-Rail輸入和輸出 低(di)輸入失調(diao)電壓︰±0.33 mV 單位增(zeng)益帶寬︰5 MHz 低(di)寬帶噪(zao)聲︰15 nV /ˇ Hz 低(di)輸入偏置電流︰2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾shun)ㄆ適(shi)用于低(di)成(cheng)本應用的(de)可擴展(zhan)CMOS運算放大器系列(lie) 工作電壓低(di)至1.8 V 由于電阻開環(huan),電容負(fu)載更(geng)容易穩定輸出阻抗 擴展(zhan)溫度que)段?40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的(de)財產。 參wen)與其它(ta)產品相比?通(tong)用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
發表于 01-08 17:51 ? 239次(ci) 閱讀
TLV9052 5MHz、15-V/?s 高(gao)轉換率 RRIO 運算放大器

TMP422-EP 增(zeng)強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校(xiao)正的(de) ±1°C 雙路遠(yuan)程和本地溫度傳感(gan)器

TMP422是(shi)具有xin)謚帽鏡匚露卻 gan)器的(de)遠(yuan)程溫度傳感(gan)器監視器。遠(yuan)程溫度傳感(gan)器具有二極管(guan)連接的(de)晶體管(guan) - 通(tong)常(chang)是(shi)低(di)成(cheng)本,NPN-或者PNP - 類晶體管(guan)或者作為微(wei)控制器,微(wei)處理器,或者FPGA組(zu)成(cheng)部分的(de)二極管(guan)。 無需校(xiao)準,對yuan)嗌痰de)遠(yuan)程精(jing)度是(shi)±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命(ming)令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非qiang)硐xiang)性因子,大範圍遠(yuan)程溫度測量(高(gao)達150℃),和二極管(guan)錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠(yuan)程二極管(guan)傳感(gan)器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感(gan)器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校(xiao)正 兩線/SMBus串口 多重接口地址(zhi) 二極管(guan)故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參wen)與其它(ta)產品相比?數字溫度傳感(gan)器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
發表于 01-08 17:51 ? 198次(ci) 閱讀
TMP422-EP 增(zeng)強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校(xiao)正的(de) ±1°C 雙路遠(yuan)程和本地溫度傳感(gan)器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高(gao)電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

LP8733xx-Q1專(zhuan)為滿足的(de)電源管(guan)理要求而設計,這些(xie)處理器和平台用于汽車應用中(zhong)的(de)閉zhan)huan)性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的(de)降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以(yi)及通(tong)用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自yuan)WM /PFM(AUTO模(mo)式)操作與自yuan) 轡輝zeng)加/減少(shao)相結(jie)合,可在較寬輸出電流範圍內最大限度地提(ti)高(gao)效率.LP8733xx-Q1支(zhi)持遠(yuan)程電壓檢測(采用兩相配置的(de)差分),可補償穩壓器輸出與負(fu)載點(POL)之間的(de)IR壓降,從而提(ti)高(gao)輸出電壓的(de)精(jing)度。此外,可以(yi)強制開關時鐘(zhong)進入PWM模(mo)式以(yi)及將其與外部時鐘(zhong)同(tong)步,從而最大限度地降低(di)干擾。 LP8733xx-Q1器件支(zhi)持可編程啟動和關斷延(yan)遲與排序(包括與使能信號同(tong)步的(de)GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會(hui)對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓gou)搴屠擻康緦鰲特性 具有符合 AEC-Q100 標準的(de)下列(lie)特性yu)浩骷露1 級︰-40℃ 至 +125℃ 的(de)環(huan)境運行xing)露確(que)段 淙氳繆梗.8V 至 5.5V兩個高(gao)效降壓直流/直流轉換器︰輸出電壓︰0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的(de)自yuan) 轡輝zeng)加/減少(shao)和強制多相操作采用兩相配置的(de)遠(yuan)...
發表于 01-08 17:51 ? 247次(ci) 閱讀
LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高(gao)電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

TPS3840 具有手動復ci)緩涂殺喑談次(ci)皇奔溲yan)遲功(gong)能的(de)毫微(wei)功(gong)耗(hao)高(gao)輸入電壓監控器

TPS3840系列(lie)電壓監控器或復ci)C可在高(gao)電壓下工作,同(tong)時在整(zheng)個V DD 上保(bao)持zhi)淺chang)低(di)的(de)靜態電流和溫度que)段?TPS3840提(ti)供(gong)低(di)功(gong)耗(hao)mo) gao)精(jing)度和低(di)傳播延(yan)遲的(de)最佳組(zu)合(t p_HL =30μs典(dian)型值)。 當VDD上的(de)電壓低(di)于負(fu)電壓guang)兄擔 IT - )或手動復ci)煥 di)邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加you)禿螅 IT + )和手動復ci)唬MR )時bao) 次(ci)恍藕瘧磺宄chu))浮動或高(gao)于V MR _H ,復ci)皇奔溲yan)遲(t D )到期。可以(yi)通(tong)過在CT引腳(jiao)和地之間連接一(yi)個電容來編程復ci)謊yan)時。對于快速復ci)唬T引腳(jiao)可以(yi)懸空。 附加功(gong)能︰低(di)上電復ci)壞繆梗 POR ), MR 和VDD的(de)na)謚孟唄房谷哦缺bao)護,內置mao)僦停 di)開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是(shi)一(yi)款(kuan)完(wan)美(mei)的(de)電壓監測解(jie)決方案(an),適(shi)用于工業應用和電池供(gong)電/低(di)功(gong)耗(hao)應用。 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 特性 寬工作電壓︰1.5 V至10 V 納米電源電流︰350 nA(典(dian)型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高(gao)精(jing)度︰1%(典(dian)型值) 內置滯後(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≦3.1V= 100mV(典(dian)...
發表于 01-08 17:51 ? 432次(ci) 閱讀
TPS3840 具有手動復��ci)緩涂殺喑談次(ci)皇奔溲��yan)遲功(gong)能的(de)毫微(wei)功(gong)耗(hao)高(gao)輸入電壓監控器

INA240-SEP 采用增(zeng)強型航天塑料且具有增(zeng)強型 PWM 抑zhong)乒gong)能的(de) 80V、高(gao)/低(di)側、零漂移電流檢測放大器

INA240-SEP器件是(shi)一(yi)款(kuan)電壓輸出,電流檢測放大器,具有增(zeng)強的(de)PWM反射(she)功(gong)能,能夠在寬共模(mo)電壓下檢測分流電阻上的(de)壓降範圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負(fu)共模(mo)電壓允許器件在地下工作,適(shi)應典(dian)型電磁閥應用的(de)反激時間。 EnhancedPWM抑zhong)莆 褂寐齔蹇磯鵲diao)制(PWM)信號的(de)大型共模(mo)瞬(shun)變(ΔV/Δt)系di)常(chang)ㄈru)電機驅(qu)動和電磁閥控制系di)常(chang)┤ti)供(gong)高(gao)水平的(de)抑zhong)啤4斯gong)能可實現精(jing)確(que)的(de)電流測量,無需大的(de)瞬(shun)態電壓和輸出電壓gu)系de)相關恢(hui)復ci)撇 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供(gong)電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增(zeng)益為20 V /V.零漂移架構(gou)的(de)低(di)失調(diao)允許電流檢測,分流器上的(de)最大壓降低(di)至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射(she) 單事件閂鎖(suo)(SEL)免(mian)疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次(ci)使用晶圓批(pi)次(ci)可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空zhan)湓zeng)強塑料 受控基線 金(jin)線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一(yi)個裝配和測試現場 一(yi)個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度que)段ExtendedProduct生命(ming)周期 擴展(zhan)產品更(geng)改(gai)通(tong)知 產品可追(zhui)溯性 用于低(di)釋氣(qi)的(de)增(zeng)強型模(mo)具化合物 增(zeng)強型PWM抑zhong)出色(se)...
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INA240-SEP 采用增(zeng)強型航天塑料且具有增(zeng)強型 PWM 抑��zhong)乒��gong)能的(de) 80V、高(gao)/低(di)側、零漂移電流檢測放大器

LM96000 具有集成(cheng)風扇控制的(de)硬件監控器

LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的(de)雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量︰ 兩個遠(yuan)程二極管(guan)連接晶體管(guan)及其自身裸片的(de)溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了(liao)設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一(yi)控制。支(zhi)持高(gao)和低(di)PWM頻率範圍。 LM96000包括一(yi)個數字濾shun)ㄆ鰨 傻diao)用該濾shun)ㄆ饕yi)平滑(hua)溫度讀數,從而更(geng)好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的(de)限制和狀ci) ji)存(cun)器。 特性 符合SMBus 2.0標準的(de)2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠(yuan)程熱二極管(guan) 基于溫度讀數的(de)可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的(de)噪(zao)聲過濾 1.0°C數字溫度傳感(gan)器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提(ti)供(gong)高(gao)低(di)PWM頻率範圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模(mo)式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
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LM96000 具有集成(cheng)風扇控制的(de)硬件監控器

LM63 具有集成(cheng)風扇控制的(de)準確(que)遠(yuan)程二極管(guan)數字溫度傳感(gan)器

LM63是(shi)一(yi)款(kuan)帶集成(cheng)風扇控制的(de)遠(yuan)程二極管(guan)溫度傳感(gan)器。 LM63精(jing)確(que)測量︰(1)自身溫度和(2)二極管(guan)連接的(de)晶體管(guan)(如(ru)2N3904)或計算機處理器,圖形(xing)處理器單元(GPU)和其他ASIC上常(chang)見的(de)熱敏二極管(guan)的(de)溫度。 LM63遠(yuan)程溫度傳感(gan)器的(de)精(jing)度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管(guan)的(de)1.0021非qiang)硐xiang)性進行了(liao)工廠調(diao)整(zheng)。 LM63有一(yi)個偏移寄(ji)存(cun)器,用于校(xiao)正由其他熱二極管(guan)的(de)不同(tong)非qiang)硐xiang)因素引起的(de)誤差。 LM63還具有集成(cheng)的(de)脈沖寬度調(diao)制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是(shi)遠(yuan)程溫度讀數,查(cha)找(zhao)表和寄(ji)存(cun)器設置的(de)組(zu)合。 8步查(cha)找(zhao)表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通(tong)常(chang)用于靜音聲學風扇噪(zao)聲。 特性 準確(que)感(gan)應板載大型處理器或ASIC上的(de)二極管(guan)連接2N3904晶體管(guan)或熱二極管(guan) 準確(que)感(gan)知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管(guan)的(de)工廠調(diao)整(zheng) 集成(cheng)PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低(di)聲學風扇噪(zao)音8 -Step查(cha)找(zhao)表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功(gong)能的(de)多功(gong)能,用戶可選(xuan)引腳(jiao) 用于測量風扇RPM的(de)轉速計輸入< /li> 用于測量典(dian)型應用中(zhong)脈沖寬度調(diao)制功(gong)率的(de)風扇轉速的(de)Smart-Tach模(mo)式 偏移寄(ji)存(cun)器可針對...
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LM63 具有集成(cheng)風扇控制的(de)準確(que)遠(yuan)程二極管(guan)數字溫度傳感(gan)器

AWR1843 集成(cheng) DSP、MCU 和雷達加速器的(de) 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感(gan)器

AWR1843器件是(shi)一(yi)款(kuan)集成(cheng)的(de)單芯片FMCW雷達傳感(gan)器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的(de)低(di)功(gong)耗(hao)45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的(de)外形(xing)尺(chi)寸內實現前所未有的(de)集成(cheng)度。 AWR1843是(shi)汽車領域低(di)功(gong)耗(hao)mo) 約囁兀  jing)確(que)雷達系di)車de)理想(xiang)解(jie)決方案(an)。 AWR1843器件是(shi)一(yi)款(kuan)獨(du)立的(de)FMCW雷達傳感(gan)器單芯片解(jie)決方案(an),可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感(gan)器。它(ta)基于TI的(de)低(di)功(gong)耗(hao)45納米RFCMOS工藝,可實現具有xin)謚LL和A2D轉換器的(de)3TX,4RX系di)車de)單片實現。它(ta)集成(cheng)了(liao)DSP子系di)常(chang) 渲zhong)包含TI的(de)高(gao)性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系di)常(chang) fu)責(ze)無線電配置,控制和校(xiao)準。此外,該器件還包括一(yi)個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模(mo)塊(HWA)可以(yi)執行雷達處理,並可以(yi)幫助在DSP上保(bao)存(cun)MIPS以(yi)獲得更(geng)高(gao)級別的(de)算法。簡單的(de)編程模(mo)型更(geng)改(gai)可以(yi)實現各種(zhong)傳感(gan)器實現(短,中(zhong)xiao) ?  ?銥梢yi)動態重新配置以(yi)實現多模(mo)傳感(gan)器。此外,該設備作為完(wan)整(zheng)的(de)平台解(jie)決方案(an)提(ti)供(gong),包括參考硬件設計,軟件驅(qu)動程序,示例(li)配置,API指gai)蝦陀沒 牡怠特性 FMCW收發器 集成(cheng)PLL,發送器,接收...
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AWR1843 集成(cheng) DSP、MCU 和雷達加速器的(de) 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感(gan)器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精(jing)密運算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列(lie)高(gao)精(jing)度運算放大器是(shi)超低(di)噪(zao)聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌(gui)到軌(gui)輸入和輸出運行。這些(xie)特性及優異交流性能與僅為0.25μV的(de)偏移電壓以(yi)及0.005μV/°C的(de)溫度漂移相結(jie)合,使OPAx388成(cheng)為驅(qu)動高(gao)精(jing)度模(mo)數轉換器(ADC)或緩沖高(gao)分辨率shi)mo)轉換器(DAC)輸出的(de)理想(xiang)選(xuan)擇(ze)。該設計可在驅(qu)動模(mo)數轉換器(ADC)的(de)過程中(zhong)實現zhong)乓煨閱埽 換hui)降低(di)線性yuan)OPA388(單通(tong)道版本)提(ti)供(gong)VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種(zhong)封裝.OPA2388(雙通(tong)道版本)提(ti)供(gong)VSSOP-8和SO-8兩種(zhong)封裝.OPA4388(四通(tong)道版本)提(ti)供(gong)TSSOP-14和SO-14兩種(zhong)封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展(zhan)工業溫度que)段 詼畽ㄔ誦小特性 超低(di)偏移電壓︰±0.25μV 零漂移︰±0.005μV/°C 零交叉︰140dB CMRR實dao)RIO 低(di)噪(zao)聲︰1kHz時為7.0nV /ˇ Hz 無1 /f噪(zao)聲︰140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定︰2μs(1V至0.01%) 增(zeng)益帶寬︰10MHz 單電源︰2.5V至5.5V 雙電源︰±1.25V至±2.75V 真實軌(gui)到軌(gui)輸入和輸出 已濾除(chu)電磁干擾( EMI)/射(she)頻干擾(RFI)的(de)輸入 行業標...
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OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精(jing)密運算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低(di)功(gong)耗(hao)、內置 EMI 濾shun)ㄆ韉de) RRIO 運算放大器

TLVx314-Q1系列(lie)單通(tong)道,雙通(tong)道和四通(tong)道運算放大器是(shi)新一(yi)代低(di)功(gong)耗(hao)mo) tong)用運算放大器的(de)典(dian)型代表。該系列(lie)器件具有軌(gui)到軌(gui)輸入和輸出(RRIO)擺幅(fu),低(di)靜態電流(5V時典(dian)型值為150μA),3MHz高(gao)帶寬等特性yu) 淺chang)適(shi)用于需要在成(cheng)本與性能間實現良ji)悶膠獾de)各類電池供(gong)電型應用。 TLVx314-Q1系列(lie)可實現1pA低(di)輸入偏置電流,是(shi)高(gao)阻抗傳感(gan)器的(de)理想(xiang)選(xuan)擇(ze)。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的(de)設計,方便(bian)電路設計人員使用。該器件具有單位增(zeng)益穩定性yu) zhi)持軌(gui)到軌(gui)輸入和輸出(RRIO),容性負(fu)載高(gao)達300PF,集成(cheng)RF和EMI抑zhong)坡瞬(shun)ㄆ鰨 詮qu)條件下不會(hui)出現zhi)聰嗖?揖哂懈gao)靜電放電(ESD)保(bao)護(4kV人體模(mo)型(HBM))。 此類器件經過優化,適(shi)合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的(de)低(di)電壓狀ci) 鹿?韃 稍40°C至+ 125°C的(de)擴展(zhan)工業溫度que)段 詼畽ㄔ誦小TLV314-Q1(單通(tong)道)采用5引腳(jiao)SC70和小外形(xing)尺(chi)寸晶體管(guan)(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通(tong)道版本)采用8引腳(jiao)小外形(xing)尺(chi)寸集成(cheng)電路(SOIC)封裝和超薄外形(xing)尺(chi)寸(VSSOP)封裝。四通(tong)道TLV4314-Q1采用14引腳(jiao)薄型小外形(xing)尺(chi)寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的(de)要求 具...
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TLV2314-Q1 3MHz、低(di)功(gong)耗(hao)、內置 EMI 濾��shun)ㄆ韉��de) RRIO 運算放大器

www.dg66.vip【即存即送】www.dwc9.ccDRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

DRV5021器件是(shi)一(yi)款(kuan)用于高(gao)速應用的(de)低(di)壓數字開關霍爾效應傳感(gan)器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通(tong)密度,並根(gen)據預定義的(de)磁閾值提(ti)供(gong)數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的(de)磁場。當施加的(de)磁通(tong)密度超過磁操作點(B OP )閾值時bao) 骷de)漏極開路輸出驅(qu)動低(di)電壓。當磁通(tong)密度降低(di)到小于磁釋tou)諾悖 RP )閾值時bao) 涑霰湮 gao)阻抗。由B OP 和B RP 分離(li)產生的(de)滯後有助于防止輸入噪(zao)聲引起的(de)輸出誤差。這種(zhong)配置使系di)成(cheng)杓聘geng)加強大,可抵抗噪(zao)聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的(de)寬環(huan)境溫度que)段 謔賈杖ru)一(yi)地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感(gan)器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 範圍 磁敏感(gan)度選(xuan)項(B OP ,B RP )︰ DRV5021A1︰2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2︰9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3︰17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感(gan)應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的(de)低(di)壓架構(gou) 集成(cheng)滯後以(yi)增(zeng)強抗噪(zao)能力 工作溫度que)段?40° C至+ 125°C 標準工業封裝︰ 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的(de)財產。 參wen)與其它(ta)產品相比?霍爾效應鎖(suo)存(cun)器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

TLV1805-Q1 具有關斷功(gong)能的(de) 40V 微(wei)功(gong)耗(hao)推挽式汽車類高(gao)電壓比較器

TLV1805-Q1高(gao)壓比較器提(ti)供(gong)寬電源範圍,推挽輸出,軌(gui)到軌(gui)輸入,低(di)靜態電流,關斷的(de)獨(du)特組(zu)合和快速輸出響(xiang)應。所有這些(xie)特性使該比較器非常(chang)適(shi)合xian)枰﹤觳庹蚋fu)電壓gou)gui)的(de)應用,如(ru)智能二極管(guan)控制器的(de)反向電流保(bao)護,過流檢測和過壓保(bao)護電路,其中(zhong)推挽輸出級用于驅(qu)動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高(gao)峰值電流推挽輸出級是(shi)高(gao)壓比較器的(de)獨(du)特之處,它(ta)具有允許輸出主動驅(qu)動負(fu)載到電源軌(gui)的(de)優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅(qu)動為高(gao)或低(di)以(yi)便(bian)將主機與意外高(gao)壓電源連接或斷開的(de)應用中(zhong)尤(you)其有價(jia)值。低(di)輸入失調(diao)電壓,低(di)輸入偏置電流和高(gao)阻態關斷等附加功(gong)能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以(yi)處理幾fu)躒魏斡τ茫 蛹虻?de)電壓檢測到驅(qu)動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳(jiao)SOT-23封裝,額定工作溫度que)段 40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以(yi)下lu) DeviceTemperature 1級︰-40°C至+ 125°C環(huan)境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源範圍 低(di)靜態電流︰每個比較器150μA 兩個導(dao)軌(gui)以(yi)外的(de)輸入共模(mo)範圍 相位huan)醋 bao)護 推 - 拉輸出 250ns傳播延(yan)遲 低(di)輸入失...
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TLV1805-Q1 具有關斷功(gong)能的(de) 40V 微(wei)功(gong)耗(hao)推挽式汽車類高(gao)電壓比較器

TMP461-SP 耐tou)she) (RHA) 高(gao)精(jing)度遠(yuan)程和本地溫度傳感(gan)器

這個遠(yuan)程溫度傳感(gan)器通(tong)常(chang)采用低(di)成(cheng)本分立式NPN或PNP晶體管(guan),或者基板熱晶體管(guan)/二極管(guan),這些(xie)器件都是(shi)微(wei)處理器,模(mo)數轉換器(ADC),數模(mo)轉換器(DAC),微(wei)控制器或現場可編程門陣列(lie)xiao)PGA)中(zhong)不可或缺的(de)部件。本地和遠(yuan)程傳感(gan)器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通(tong)信協議,以(yi)及多達9個不同(tong)的(de)引腳(jiao)可編程地址(zhi)。 該器件將諸(zhu)如(ru)串聯電阻抵消,可編程非qiang)硐xiang)性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾shun)ㄆ韉雀gao)級特性完(wan)美(mei)結(jie)合,提(ti)供(gong)了(liao)一(yi)套準確(que)度和抗擾度更(geng)高(gao)且穩健耐用的(de)溫度監控解(jie)決方案(an)。 TMP461-SP是(shi)在各種(zhong)分布式遙測應用中(zhong)進行多位hui)黴gao)精(jing)度溫度測量的(de)理想(xiang)選(xuan)擇(ze)這類集成(cheng)式本地和遠(yuan)程溫度傳感(gan)器可提(ti)供(gong)一(yi)種(zhong)簡單的(de)方法來測量溫度梯(ti)度,進而簡化了(liao)航天器維護活動。該器件的(de)額定電源電壓範圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度que)段 55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準︰5962-1721801VXC 熱增(zeng)強型HKU封裝 經測試yu) 0rad /s的(de)高(gao)劑量率(HDR)下,可抵抗高(gao)達50krad(Si)的(de)電離(li)輻射(she)總劑量(TID) 經測試yu) 0mrad /s的(de)低(di)劑量率(LDR)下,可抵抗高(gao)達100krad(Si)的(de)電離(li)輻射(she)...
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TMP461-SP 耐��tou)����she) (RHA) 高(gao)精(jing)度遠(yuan)程和本地溫度傳感(gan)器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的(de)四個 4MHz 降壓轉換器

LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種(zhong)汽車電源應用中(zhong)最新處理器和平台的(de)電源管(guan)理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自yuan)FM /PWM(自yuan) mo)式)操作可在寬輸出電流範圍內最大限度地提(ti)高(gao)效率。 LP87524B /J /P-Q1支(zhi)持遠(yuan)程電壓檢測,以(yi)補償穩壓器輸出和負(fu)載點(POL)之間的(de)IR壓降,從而提(ti)高(gao)輸出電壓的(de)精(jing)度。此外,開關時鐘(zhong)可以(yi)強制為PWM模(mo)式,也可以(yi)與外部時鐘(zhong)同(tong)步,以(yi)最大限度地減少(shao)干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支(zhi)持負(fu)載電流測量,無需增(zeng)加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支(zhi)持可編程的(de)啟動和關閉延(yan)遲以(yi)及與信號同(tong)步的(de)序列(lie)。這些(xie)序列(lie)還可以(yi)包括GPIO信號,以(yi)控制外部穩壓器,負(fu)載開關和處理器復ci)弧T諂舳 偷繆貢浠 詡洌 骷?剖涑鱍拱諑剩 yi)最大限度地減少(shao)輸出電壓gou)搴屠擻康緦鰲特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以(yi)下lu) 設備溫度等級1︰-40°C至+ 125°C環(huan)境工作溫度 輸入電壓︰2.8 V至5.5 V 輸出電壓︰0.6 V至3.36 V 四個高(gao)效降壓型DC-DC轉換器內核︰ 總輸出電流高(gao)達10 A 輸出電壓漏電率...
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LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的(de)四個 4MHz 降壓轉換器

TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功(gong)能的(de)數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

TAS2562是(shi)一(yi)款(kuan)數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高(gao)峰值功(gong)率shi) 叫︵脫鍔饔τ彌zhong)。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的(de)na)榭魷孿.1負(fu)載提(ti)供(gong)6.1 W的(de)峰值功(gong)率。 集成(cheng)揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的(de)實時監控。這允許在將揚聲器保(bao)持在安全操作區域的(de)同(tong)時推動峰值SPL。具有防止掉電的(de)電池跟(gen)蹤(zong)峰值電壓限制器可優化整(zheng)個充電周期內的(de)放大器裕(yu)量,防止系di)徹乇鍘I 2 S /TDM + I中(zhong)最多可有四個器件共用一(yi)個公(gong)共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺(chi)寸緊湊。 高(gao)性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加you) 障xian)信道噪(zao)聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟(gen)蹤(zong)峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的(de)用戶界面 I 2 S /TDM︰8通(tong)道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C︰4個可選(xuan)擇(ze)的(de)地址(zhi) MCLK免(mian)費操作 低(di)流行並點...
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TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功(gong)能的(de)數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

LM358B 雙路運算放大器

LM358B和LM2904B器件是(shi)業界標準的(de)LM358和LM2904器件的(de)下一(yi)代版本,包括兩個高(gao)壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些(xie)器件為成(cheng)本敏感(gan)型應用提(ti)供(gong)了(liao)卓越的(de)價(jia)值,具有低(di)失調(diao)(300μV,典(dian)型值),共模(mo)輸入接地範圍和高(gao)差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增(zeng)強穩定性yu) mV(室溫下最大)的(de)低(di)偏移電壓和300μA(典(dian)型值)的(de)低(di)靜態電流等增(zeng)強功(gong)能。 LM358B和LM2904B器件具有高(gao)ESD(2 kV,HBM)和集成(cheng)的(de)EMI和RF濾shun)ㄆ鰨 捎糜謐羆jian)固,極具環(huan)境挑戰性的(de)應用。 LM358B和LM2904B器件采用微(wei)型tou)庾埃 li)如(ru)TSOT-8和WSON,以(yi)及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的(de)寬電源範圍(B版) 供(gong)應 - 電流為300μA(B版,典(dian)型值) 1.2 MHz的(de)單位增(zeng)益帶寬(B版) 普通(tong) - 模(mo)式輸入電壓範圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低(di)輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾shun)ㄆ鰨版) 在符合MIL-PRF-38535的(de)產品上,除(chu)非另有說(shuo)明,否則所有參wen) 饈浴T謁釁淥飛希 庸?灰yi)定包括所有參wen)de)測試。 所...
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LM358B 雙路運算放大器

LP87565-Q1 具有集成(cheng)開關的(de)四nan)8A + 8A 降壓轉換器

LP8756x-Q1器件專(zhuan)為滿足各種(zhong)汽車電源應用中(zhong)最新處理器和平台的(de)電源管(guan)理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些(xie)內核可配置為1個四nan)嗍涑觶個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自yuan) 隹淼diao)制(PWM)到脈頻調(diao)制(PFM)操作( AUTO模(mo)式)與自yuan) zeng)相和切相相結(jie)合,可在較寬輸出電流範圍內最大限度地提(ti)高(gao)效率.LP8756x-Q1支(zhi)持對yuan) 轡皇涑齙de)遠(yuan)程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負(fu)載點(POL)之間的(de)IR壓降,從而提(ti)高(gao)輸出電壓的(de)精(jing)度。此外,可以(yi)強制開關時鐘(zhong)進入PWM模(mo)式以(yi)及將其與外部時鐘(zhong)同(tong)步,從而最大限度地降低(di)干擾。 LP8756x- Q1器件支(zhi)持在不添(tian)加外部電流檢測電阻器的(de)na)榭魷陸(lu)懈fu)載電這個序列(lie)可能包括用于控制外部穩壓器,負(fu)載開關和處理器復ci)壞de)GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會(hui)對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓gou)搴屠擻康緦鰲特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的(de)下列(lie)特性yu)器件溫度1級︰-40℃至+ 125℃的(de)環(huan)境運行xing)露確(que)段器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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LP87565-Q1 具有集成(cheng)開關的(de)四��nan)��8A + 8A 降壓轉換器

LM2902LV 行業標準、低(di)電壓放大器

LM290xLV系列(lie)包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些(xie)器件由2.7V至5.5V的(de)低(di)電壓gou)gong)電。 這些(xie)運算放大器可以(yi)替代低(di)電壓應用中(zhong)的(de)成(cheng)本敏感(gan)型LM2904和LM2902。有些(xie)應用是(shi)大型電器,煙霧探測器和個人shuo)繾硬LM290xLV器件在低(di)電壓下可提(ti)供(gong)比LM290x器件更(geng)佳xun)de)性能,並且功(gong)能耗(hao)盡。這些(xie)運算放大器具有單位增(zeng)益穩定性yu) ?以(yi)詮qu)情況下不會(hui)出現相位huan)醋ESD設計為LM290xLV系列(lie)提(ti)供(gong)了(liao)至少(shao)2kV的(de)HBM規格。 LM290xLV系列(lie)采用行業標準封裝。這些(xie)封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適(shi)用于成(cheng)本敏感(gan)型系di)車de)工業標準放大器 低(di)輸入失調(diao)電壓︰±1mV < LI>共模(mo)電壓範圍包括接地 單位增(zeng)益帶寬︰1MHz的(de) 低(di)寬帶噪(zao)聲︰40nV /ˇ赫茲 低(di)靜態電流︰90μA/通(tong)道 單位增(zeng)益穩定 可在2.7V至5.5V的(de)電源電壓下運行 提(ti)供(gong)雙通(tong)道和四通(tong)道型號< /li> 嚴格的(de)ESD規格︰2kV HBM 擴展(zhan)溫度que)段?40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的(de)財產。 參wen)與其它(ta)產品相比?通(tong)用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行業標準、低(di)電壓放大器

LP87561-Q1 具有集成(cheng)開關的(de)四nan)16A 降壓轉換器

LP8756x-Q1器件專(zhuan)為滿足各種(zhong)汽車電源應用中(zhong)最新處理器和平台的(de)電源管(guan)理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些(xie)內核可配置為1個四nan)嗍涑觶個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自yuan) 隹淼diao)制(PWM)到脈頻調(diao)制(PFM)操作( AUTO模(mo)式)與自yuan) zeng)相和切相相結(jie)合,可在較寬輸出電流範圍內最大限度地提(ti)高(gao)效率.LP8756x-Q1支(zhi)持對yuan) 轡皇涑齙de)遠(yuan)程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負(fu)載點(POL)之間的(de)IR壓降,從而提(ti)高(gao)輸出電壓的(de)精(jing)度。此外,可以(yi)強制開關時鐘(zhong)進入PWM模(mo)式以(yi)及將其與外部時鐘(zhong)同(tong)步,從而最大限度地降低(di)干擾。 LP8756x- Q1器件支(zhi)持在不添(tian)加外部電流檢測電阻器的(de)na)榭魷陸(lu)懈fu)載電這個序列(lie)可能包括用于控制外部穩壓器,負(fu)載開關和處理器復ci)壞de)GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會(hui)對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓gou)搴屠擻康緦鰲特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的(de)下列(lie)特性yu)器件溫度1級︰-40℃至+ 125℃的(de)環(huan)境運行xing)露確(que)段器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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